Представлен прогноз по развитию технологий от Корейского общества полупроводниковых инженеров (The Institute of Semiconductor Engineers). Исследователи из Южной Кореи составили краткую дорожную карту на ближайшие 15 лет по девяти направлениям: полупроводниковые устройства и процессы, полупроводниковые технологии для ИИ, полупроводники для оптических соединений, полупроводниковые датчики для беспроводных соединений, полупроводники для проводных соединений, упаковка чипов, квантовые вычисления и другое.
Сейчас ведущие полупроводниковые компании запускают серийное производство на базе техпроцесса 2 нм. В их числе компания Samsung, которая предлагает свой вариант 2 нм с транзисторами GAA (Gate-All-Around). Но корейский гигант уже работает над техпроцессом 2 нм второго поколения с улучшенной версией GAA и технологией SF2P+. Samsung сформировала команду для исследований в области разработки 1‑нм чипов и рассчитывает освоить массовое производство по этой технологии в 2029 году.
После этого компаниям предстоит перейти в ангстремную (A) эру. При размерах менее 1 нм разработчики столкнутся с рядом трудностей, что потребует серьезных усилий и капиталовложений. Но по мнению специалистов к 2040 году компании выйдут на технологию производства 0,2 нм. Это потребует внедрения новой транзисторной структуры CFET. Также будет освоена технология производства монолитных 3D-чипов, которые состоят из разных кристаллов.
Параллельно произойдут значительные изменения в производстве памяти DRAM с переходом от 11 нм до 6 нм. В течение ближайших лет также будет увеличена плотность флэш-памяти NAND с 321 слоя до 2000 слоев. Высокоскоростная память HBM перейдет от 12 слоев до 30 слоев и более, что обеспечит рост пропускной способности с 2 ТБ/с до 128 ТБ/с. Что касается процессоров для ИИ, то от самых быстрых современных решений до 10 TOPS (триллионов операций в секунду) производители перейдут к чипам с потенциалом 1000 TOPS для обучения и 100 TOPS для вывода (инференса).
Источник:
Wccftech