Стало известно, что ряд бывших руководителей и сотрудников Samsung замешены в краже технологий и секретов, связанных с производством памяти DRAM на базе 10 нм. Корейские источники пишут о расследовании Центральной окружной прокураторы Сеула, которая вынесла постановление об аресте действующего директора китайской компании Changshin Memory Technology (CXMT) за нарушение правил в соответствии с «Законом о защите промышленных технологий». Важно отметить, что директор CXMT — это бывший сотрудник Samsung, который, как утверждается, сыграл решающую роль в разработке 10-нм технологии DRAM для CXMT. Также прокуратора вынесла постановление об аресте еще четырех человек, которые в настоящее время работают в CXMT.
Прокуратура утверждает, что CXMT разработала сложный план по ускорению разработки техпроцесса 10 нм DRAM через найм ключевых корейских специалистов. В отличие от технологии производства CPU и GPU, это довольно современный техпроцесс для памяти. Samsung инвестировала около 1,6 триллиона вон (1,08 миллиарда долларов) в течение 5 лет в разработку собственной технологии 10 нм DRAM. В ходе расследования выяснено, что бывший сотрудник Samsung слил информацию о сотнях этапов технологического процесса и даже проверил эту информацию. Другой сотрудник в 2016 году передал большие объемы рукописной информации о технологиях DRAM. И это лишь некоторые случаи действий в пользу конкурента. Также CXMT использовало подставную компанию для переманивания сотрудников.
Ранее суд в Южной Корее уже приговорил одного из высокопоставленных бывших руководителей Samsung за кражу секретов, связанных с 18 нм DRAM в пользу CXMT. На данный момент CXMT является главным производителем памяти в Китае. Компания выпускает передовые микросхемы включая DDR5 и HBM3. По состоянию на конец года она производит до 280 тысяч пластин в месяц, что соответствует 15% мирового производства DRAM.
Источник:
Wccftech