Корпорация IBM объявила о создании первых рабочих образцов микропроцессоров, изготавливаемых согласно 5-нанометровым технологическим нормам. Работа над данными чипами велась совместно с такими гигантами индустрии как Samsung и GlobalFoundries, а сами 5-нм кристаллы насчитывают около 30 млрд транзисторов при размерах, сравнимых с человеческим ногтем.
При создании новых чипов специалисты IBM использовали специальные структуры транзисторов, именуемые «кремниевыми нанолистами» (silicon nanosheet). Данный подход должен обеспечить гораздо лучшие электрические параметры, нежели FinFET-техпроцессы. Более того, из-за возможности детальной настройки расстояния укладки «нанолистов», производители смогут точно регулировать производительность и энергопотребление отдельных областей кремниевых кристаллов. При использовании привычной технологии FinFET, как сообщает IBM, подобные манипуляции с чипами были бы невозможны.
Кроме того, благодаря применению 5-нм технологических норм удастся достичь на 40% большей производительности по сравнению с 10-нм чипами при идентичном энергопотреблении, или снизить его на 75%, обеспечив тот же уровень быстродействия. Как отмечают представители IBM, данная технология должна помочь дальнейшему «сжатию» полупроводниковых кристаллов, правда, до каких размеров удастся уменьшить размеры транзисторов, компания не уточнила.
Что касается начала массового производства чипов, согласно 5-нм технологическим нормам, предложенным IBM, то оно начнётся не ранее 2020 года.
Источник:
Hexus