В начале месяца Intel выпустила на рынок линейку NVMe-накопителей SSD 660p, построенных на базе микросхем памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Данные устройства позиционируются в качестве доступного и относительно быстрого решения для рядовых пользователей, не нуждающихся в рекордных показателях выносливости SSD.
Предсказывалось, что уже совсем скоро микросхемы 3D NAND QLC вытеснят чипы 3D NAND TLC из тех сфер, где не требуется быстрая и частая запись данных. Но, похоже, что до этого пройдёт ещё немало времени.
Как сообщает веб-ресурс TweakTown, у Intel наблюдаются серьёзные проблемы с производством 64-слойных микросхем 3D NAND QLC, ставших основой упомянутых выше SDD 660p. Знакомый с ситуацией источник рассказал зарубежным коллегам, что только 48% микросхем, сходящих с конвейера IM Flash Technologies (совместное предприятие Intel и Micron), пригодны для использования в твердотельных накопителях. К слову, для 64-слойных чипов 3D NAND TLC данный показатель составляет 90%.
Из-за высокого процента брака микросхемы QLC в пересчёте на один гигабайт оказываются дороже, нежели изделия TLC, с производством которых не возникает каких-либо существенных проблем. Что ещё хуже, по прогнозам источника, уменьшить показатели выхода дефектных чипов 3D NAND QLC в этом поколении микросхем Intel не удастся.
