В то время как Intel и Micron связывают будущее твердотельных накопителей с памятью 3D XPoint, компания Samsung придерживается более традиционного подхода и продолжает планомерно наращивать скорость работы привычной флеш-памяти NAND в том или ином её виде. Накануне южнокорейский гигант представил свой первый SSD, построенный с применением технологии Z-NAND.
Устройство получило название Z-SSD MZ-PJB8000, выполнено в виде однослотовой карты расширения и использует четыре линии интерфейса PCI Express 3.0. Представленный накопитель характеризуется объёмом 800 ГБ и обеспечивает скорости последовательного чтения/записи до 3200 МБ/с. Быстродействие SSD при работе со случайными блоками объёмом 4 КБ достигает 750 тыс. IOPS при чтении и 160 тыс. при записи.
В качестве набора логики выступает пока ещё безымянный контроллер, обеспечивающий, если верить представителям компании, на 70% меньшие задержки, чем у современных NVMe-накопителей. Также Samsung пока не спешит делиться подробностями о памяти Z-NAND. По мнению наших коллег из веб-издания AnandTech, корейцы, вероятнее всего, применили уже знакомую память V-NAND, работающую в режиме SLC.
Относительно даты выхода и ориентировочной центы накопителей Samsung Z-SSD в настоящее время никакой информации не поступило.
