Everspin представила NVMe-накопители nvNITRO на основе памяти ST-MRAM

Как известно, Intel и Micron в настоящее время работают над новым видом энергонезависимой памяти 3D Xpoint, который должен заметно поднять быстродействие и выносливость твердотельных накопителей. И хотя компании уже достигли определённого успеха в данном направлении (чего только стоят SSD серии P4800X, которые можно перезаписать почти 33 тысячи раз), достичь неограниченного ресурса записи пока не удаётся. Тем временем компания Everspin подготовила кардинальное решение данной проблемы, анонсировав выпуск линейки NVMe-накопителей nvNITRO, созданных на основе магниторезистивной памяти ST-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory).

Накопители Everspin nvNITRO выполнены в виде карт расширения PCI Express, могут похвастаться неограниченным ресурсом перезаписи, и позиционируются производителем в качестве сверхбыстрого кэша для традиционных SSD на основе памяти NAND. Новинки обеспечивают уровень производительности в 1,5 млн IOPS при чтении/записи, и доступны в версиях объёмом 1 и 2 ГБ. В качестве основы для накопителей nvNITRO используется два модуля оперативной памяти SO-DIMM, построенные на базе 256-мегабитных микросхем памяти ST-MRAM DDR3. При этом уже в скором времени Everspin планирует наладить производство моделей объёмом до 16 ГБ на основе микросхем ST-MRAM DDR4 ёмкостью 1 Гбит.

В настоящее время партнёры компании уже приступили к тестированию накопителей nvNITRO, а начало массовых поставок запланировано на второй квартал этого года. Относительно ориентировочной стоимости новинок никакой информации не поступило.

Источник:
Anandtech

Обсудить в форуме (комментариев: 15)

Все новости за 09.03.2017 [ лента ]

Последние обзоры: