В полупроводниковой индустрии наблюдается массированных отход от традиционных технологий в течение последних нескольких лет. Применение новых стандартов памяти и переход к системам-на-чипе являются основными современными тенденциями развития полупроводниковых приборов.
В 2015 году AMD явила миру видеокарту Radeon R9 Fury X, оборудованную видеопамятью HBM производства SK Hynix, которая обеспечивала умопомрачительную пропускную способность до 512 ГБ/с. Затем, в начале этого года года компания Samsung начала производство второго поколения памяти HBM, микросхемы которой можно встретить в профессиональном ускорителе Nvidia Tesla P100. Но, к сожалению, в настоящий момент из-за высокой стоимости данного вида чипов они остаются уделом лишь некоторых графических ускорителей high-end уровня.
Тем не менее, компания Samsung планирует исправить эту несправедливость вместе со своим бюджетным вариантом памяти HBM, подробностями о котором южнокорейский гигант поделился на конференции Hot Chips 28. Компания планирует вдвое уменьшить количество межслойных соединений (through-silicon vias), подняв при этом рабочую частоту в полтора раза, а также отказаться от поддержки ECC. Благодаря данным манипуляциям производительность «low-cost» HBM должна составить около 80% от уровня HBM2 при сниженных в разы производственных затратах.
На Hot Chips 28 компании SK Hynix и Samsung также поделились планами относительно третьего поколения памяти HBM. Она предложит вдвое большую пропускную способность относительно своей предшественницы, что позволит четырём микросхемам обмениваться данными со скоростью до 2 ТБ/с. Впрочем, когда именно следует ожидать выход первых устройств, оснащённых HBM3, пока не сообщается.
Источник:
WCCFTech
