Кое-что о 45-и нанометрах
27.01.2007 | 02:12 | Overclocker | обсудить
Intel открыла некоторые новые подробности о новом 45-нм техпроцессе на основе так называемых high-k диэлектриков. В основе технологии лежит использование гафния: по заявлению компании, применение этого редкоземельного материала позволит уменьшить ток утечки транзистора (эффект, приводящий к повышению энергопотребления и тепловыделения схемы) в 10 раз по сравнению с использованием традиционного диоксида кремния. В сочетании с использованием в контактах затвора транзисторов металла и ставшими типичными особенностями- медные межконтактные соединения, напряженный кремний, диэлектрики с низкой (low-k) диэлектрической проницаемостью в качестве изоляторов медных проводников – Intel заявляет о своем первенстве в использовании новых материалов в технологии изготовления процессоров.
Источник:
vr-zone
Источник:
vr-zone
Обсудить в форуме
Последние обзоры:
- Обзор и тестирование материнской платы ASUS ROG Strix B650E-I Gaming WIFI. Маленький форм-фактор для платформы AM5
- Обзор и тестирование игрового 27″ WQHD-монитора Gigabyte M27Q X с частотой обновления 240 Гц
- Обзор корпуса DeepCool CH560 Digital WH
- Обзор и тестирование игрового 15” ноутбука Acer Nitro V 15 на базе процессора Intel i5-13420H и видеокарты Nvidia GeForce RTX 4050
- Обзор системы жидкостного охлаждения ASUS ProArt LC 420
- Обзор и тестирование видеокарты MSI GeForce RTX 4070 Super 12G Gaming X Slim
- Обзор и тестирование игрового 27″ WQHD-монитора ASUS TUF Gaming VG27AQ3A